Relaxation time for ionized impurity scattering in compensated n-type Hg1-xCdxTe near x=0.2

P. Girault; C. Blanchard; P Grosbras; J-F. Barbot

doi:10.1023/A:1018644227660

Article Dans Une Revue Journal of Materials Science Année : 1997

Relaxation time for ionized impurity scattering in compensated n-type Hg1-xCdxTe near x=0.2

(1) , (2) , ,

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P. Girault

Fonction : Auteur
PersonId : 182568
IdHAL : patrick-girault
ORCID : 0000-0002-8745-4106
IdRef : 152060790

Laboratoire d'Etude des Matériaux en Milieux Agressifs

C. Blanchard

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PersonId : 759254
ORCID : 0000-0002-3055-1511

Laboratoire de métallurgie physique

P Grosbras

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Physique [physics] Matière Condensée [cond-mat] Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

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Soumis le : lundi 10 février 2020-08:38:16

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Dates et versions

hal-02472127 , version 1 (10-02-2020)

Identifiants

HAL Id : hal-02472127 , version 1
DOI : 10.1023/A:1018644227660

Citer

P. Girault, C. Blanchard, P Grosbras, J-F. Barbot. Relaxation time for ionized impurity scattering in compensated n-type Hg1-xCdxTe near x=0.2. Journal of Materials Science, 1997, 32 (14), pp.3857-3861. ⟨10.1023/A:1018644227660⟩. ⟨hal-02472127⟩

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